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BSC670N25NSFD：250V，OptiMOS? N通道功率 MOSFET 晶體管，PG-TDSON-8

概述：

BSC670N25NSFD 是采用 PG-TDSON-8 封裝的 250V OptiMOS? N 溝道功率 MOSFET 晶體管。OptiMOS? 200V、250V 和 300V 快速二極管 (FD) 針對體二極管硬換向進行了優(yōu)化。這些器件是電信、工業(yè)電源、D 類音頻放大器、電機控制和 DC-AC 逆變器等硬開關應用的最佳選擇。

BSC670N25NSFD 規(guī)格參數(shù)：

系列：OptiMOS?

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：250 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：67 毫歐 @ 24A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 90μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2410 pF @ 125 V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TDSON-8-1

封裝/外殼：8-PowerTDFN

BSC670N25NSFD 產(chǎn)品特性：

N 溝道，正常電平

175°C 額定溫度

極佳的柵極電荷 x RDS(on) 產(chǎn)品(FOM)

極低導通電阻 RDS(on)

改進的硬換向耐用性

優(yōu)化的硬開關行為

業(yè)界最低的 R ds(on)

符合 RoHS 規(guī)范 - 無鹵素

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