商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:ON
年份:25+
封裝:D2PAK-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
NVB095N65S3F:650V,36A,95mΩ,SUPERFET III MOSFET 晶體管,D2PAK-3
產(chǎn)品詳情:
型號(hào):NVB095N65S3F
封裝:D2PAK-3
類型:SUPERFET? III MOSFET 晶體管
應(yīng)用:板載充電器、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
NVB095N65S3F 規(guī)格參數(shù):
系列:SuperFET? III
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):36A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):95 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 860μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):66 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3020 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):272W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
NVB095N65S3F 產(chǎn)品特性:
同類最佳體二極管
內(nèi)部 Rg
更低的 RDS(ON) / 相同的封裝
更低的 FOM(RDS(ON) max. X Qg typ. X Eoss)
內(nèi)部齊納 / 650V BV dss
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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